New Organization for Developing Next Generation Power Semi-Conductor Starts

新材料パワー半導体SiC(シリコンカーバイド）研究開発体制の強化
弁理士　佐成　重範　Web検索 SANARI PATENT
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　経済産業省（担当：産業技術環境局研究開発課）は、新材料パワー半導体SiC(シリコンカーバイド）研究開発体制の強化について、「次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構、「SiCアライアンス」の発足について、次のように発表した(2010-05-20)(SANARI PATENT要約)。
(1) 技術研究組合である「次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構(FUPET)の体制を大幅に拡充すると共に、「SiCアライアンス」を発足させた。
(2) SiC（シリコンカーバイド）はSi（シリコン）に比べて、大幅な省エネ（電力損失100分の１以下）を実現する新材料パワー半導体であって、次世代自動車のインバータ（電力変換装置）などに用いられる。SiCは、Green Innovation推進の中核部材である。
(3) 経済産業省は、Green Innovation推進のための主要プロジェクトとして、2010年度から、「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」(2010年度予算20億円)を開始した。FUPETが、材料メーカーや自動車メーカー等と共同でこのプロジェクトに応募し採択されたことを契機として、これら共同提案企業を組合員に加え、川上産業から川下産業に至るまでの企業・大学・公的研究機関が終結する組合に拡大した。
(4) 加えて、FUPET組合員のみならず、SiCに関連する企業・大学など産学官が幅広く終結するAll Japanの枠組みとして、「SiCアライアンス」を発足させた。このアライアンスでは、世界トップを目指す先端的研究により、日本の国際競争力を強化すべく、内閣府の「最先端研究開発プログラム」における超高耐圧SiCデバイス開発プロジェクトや、応用物理学会の「SiCおよび関連WG半導体研究会」の活動を含めて、全てのSiC研究開発活動を見渡し、相互連携を保つ。
(5) 経済産業省は、SiCの実用化に向けて、引続き積極的に支援する。
SANARI PATENT所見
　SiC（Silocon Carbide）から成る半導体は、Band GapがSi半導体の３倍で、絶縁破壊に至る電界強度が10倍と考えられる。熱伝導性・耐熱性・耐薬品性・耐放射線に優れ、従来のSiC半導体に代わることのイノベーション効果は極めておおきいが、製造コストの低減が課題である。
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